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ABM光刻机线宽制备能力
截止到2012年1月,ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机,50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等,ABM在中国各地也拥有不同领域的客户,包括众多的工厂、知名大学和研究所等。

光刻线条特征尺寸:
  应用实例1:深紫外光源下0.25um线条
  Scanning Electron Micrographs 电子显微镜图像
  Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条
  采用TOK DUV 光刻胶,200nm光学镜,光刻胶厚度0.45微米。曝光时间40秒。


  应用实例2:近紫外光源下0.6um线条
  Scanning Electron Micrograph Feature Sizes: 0.5 um
  采用AZ PLP 50XT 光刻胶
  近紫外光源,曝光时间3秒,显影时间35秒。


  应用实例3:接近式样曝光0.8um线条
  Scanning Electron Micrograph Feature Sizes: 0.8 um, 50um gap
  近紫外光源,接近式曝光50um, 特征尺寸0.8um。