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SA系列光刻机
双面对准(BSV)光刻机

截止到2012年1月,ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机,50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等,ABM在中国各地也拥有不同领域的客户,包括众多的工厂、知名大学和研究所等。 设备型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/SA
光学系统
  曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s);
  365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;
  声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;
  有安全保护装置的温度及其气流传感器;
  全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;
  波长滤片检查及安装装置;
  抗衍射反射功能高效反光镜;
  二向色的防热透镜装置;
  防汞灯泄漏装置;
  配备蝇眼棱镜装置;
  配备近紫外光源,
     --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
     --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
     --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
     --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置:
  6”,8”光源系统
  可支持2”,3”,4”,6”,8”(圆/方片)及碎片光刻(支持特殊工艺卡盘设计)
  手动系统,半自动系统,
  支持电源350-2000 Watt
  支持深紫外近紫外波长(可选项)<1.84度;
  CCD或显微镜对准系统


主要性能指标::
  光强均匀性Beam Uniformity:
     --<±1% over 2” 区域
     --<±2% over 4” 区域
     --<±2.5% over 6” 区域
  接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
  接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um
  支持接近式曝光,特征尺寸CD:
     --0.8um 硬接触
     --1um 20 um 间距时
     --2um 50um 间距时
  正面对准精度±0.5um
  支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um
  支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
  支持真空、接近式、接触式曝光
  支持恒定光强或恒定功率模式